蚀刻是在光刻过的基片上可通过湿刻（wet etching）和干刻（dry etching）等方法将 阻挡层上的平面二维图形加工成具有一定深度的立体结构。选用适当的蚀刻剂，镜片盖板面板生产厂家，使 它对光胶、薄膜和基片材料的腐蚀速度不同，可以在薄膜或基片上产生所需的微结 构。 ? 复杂的微结构可通过多次重复薄膜沉积－光刻－蚀刻这三个工序来完成。微流控基片通过预处理，涂胶，前烘，镜片盖板面板加工，曝光，显影及坚膜，去胶等步骤后，材料上 呈现所需要的图形，即通道网络。 盖板与微流控芯片基片的封接 ? 基片和盖板封接后形成封闭的小池，可用来储存试剂或安装电极。
而采用喷淋的方式却可以 达到通过大气中氧的作用将一价铜转换成二价铜， 并去除一价铜， 这就是需要将空气通入 蚀刻箱的一个功能性的原因。 但是如果空气太多﹐又会加速溶液中的氨的损失而使 PH 值下 降﹐使蚀刻速率降低。 氨在溶液中的变化量也是需要加以控制的， 有一些用户采用将纯氨 通入蚀刻储液槽的做法， 但这样做必须加一套 PH 计控制系统，汕头镜片盖板面板， 当自动监测的 PH 结果低于默 认值时﹐便会自动进行溶液添加。 在相关的化学蚀刻（亦称之为光化学蚀刻或 PCH）领域中﹐研究工作已经开始﹐并达至 蚀刻机结构设计的阶段。
化学蚀刻（Chemical etching）-- 气态物质（中性原子团）与表面反应， 产物必定易挥发，也称为等离子蚀刻。 等离子增强蚀刻(Ion-enhanced etching)—单独使用中性原子团不能形成易挥发产物，具有一定 能量的离子改变衬底或产物；具有一定能量的离子改变衬底或产物层，这样，化学反应以后 能生成挥发性物质，亦称为反应离子蚀刻（RIE） 。 溅射蚀刻（Sputter etching）--具有一定能量的离子机械的溅射衬底材料。 蚀刻速率（Etch rate）--材料的剥离速率，镜片盖板面板定制，通常以?/min，?/sec，nm/min， um/min 为单位计 量。 各向同性蚀刻（ Isotropic etch）-- 蚀刻速率在所有方向都是相同的。
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